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本申请属于功率半导体器件技术领域，具体公开了一种具有背面空穴注入的快速软恢复二极管及制备方法。本申请通过对p缓冲层、n缓冲层、p阴极区结构进行优化，p缓冲层与p+阳极区交替排列，由于p缓冲层掺杂明显低于PIN二极管的p+阳极掺杂，反向恢复过...
该专利属于华中科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过华中科技大学授权不得商用。

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