【技术实现步骤摘要】
本申请属于功率半导体器件，更具体地，涉及一种具有背面空穴注入的快速软恢复二极管及制备方法。
技术介绍
1、基于功率半导体器件的能量转换设备在新能源等先进制造业中发挥着重要作用，满足了高压大功率场合的需求。绝缘栅双极晶体管（igbt）具有输入阻抗高、开关频率快、驱动功率低、电流密度高、导通电压低等优点。由igbt和快速恢复二极管制成的igbt模块广泛应用于交流电机、变频器、储能等领域。快速恢复二极管通常在各种拓扑中与igbt反向并联，并在igbt关断期间为电流提供路径，以消耗拓扑中电感元件引起的高压电动势并保护igbt。为了最大限度地提高igbt的性能，与igbt反向并联的快速恢复二极管需要在数百安培的电流下工作，反向恢复时间需要在微秒范围内。此外，为了防止igbt模块因电流谐振、电磁兼容性和电磁干扰的影响而损坏，快速恢复二极管需要控制反向恢复电流峰值。
2、pin二极管（p-i-n结构的二极管）作为传统反向恢复二极管，具有高掺杂的p+阳极、n+阴极和低掺杂的n-基极区。在正向偏压条件下，p+阳极和n+阴极分别注入空穴和电子。...
【技术保护点】
1.一种具有背面空穴注入的快速软恢复二极管，其特征在于，包括：阳极金属（6）、绝缘氧化层（7）、多个p+阳极区（8）、p缓冲层（9）、n-基区（10）、n缓冲层（11）、多个p阴极区（12）、n+阴极区（13）、阴极金属（14）；
2.如权利要求1所述的快速软恢复二极管，其特征在于，p+阳极区（8）和p阴极区（12）数量相同，且上下对应排列。
3.如权利要求2所述的快速软恢复二极管，其特征在于，各个p+阳极区的间距取值范围为20um至100um。
4.如权利要求2所述的快速软恢复二极管，其特征在于，p+阳极区（8）和p阴极区（12）...
【技术特征摘要】
1.一种具有背面空穴注入的快速软恢复二极管，其特征在于，包括：阳极金属（6）、绝缘氧化层（7）、多个p+阳极区（8）、p缓冲层（9）、n-基区（10）、n缓冲层（11）、多个p阴极区（12）、n+阴极区（13）、阴极金属（14）；
2.如权利要求1所述的快速软恢复二极管，其特征在于，p+阳极区（8）和p阴极区（12）数量相同，且上下对应排列。
3.如权利要求2所述的快速软恢复二极管，其特征在于，各个p+阳极区的间距取值范围为20um至100um。
4.如权利要求2所述的快速软恢复二极管，其特征在于，p+阳极区（8）和p阴极区（12）为相同规格的长方体，厚度取值范围为7um...
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