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本发明涉及高分子材料领域，公开了一种用于半导体器件的抗静电聚醚醚酮复合材料，抗静电聚醚醚酮复合材料包括以下重量份原料：聚醚醚酮60‑70份、聚醚酰亚胺20‑30份、改性碳纳米管3‑5份、纳米核壳粒子2‑4份、偶联剂0.5‑1份、抗氧剂0.2...
该专利属于广东中成特殊材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广东中成特殊材料有限公司授权不得商用。

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