一种用于半导体器件的抗静电聚醚醚酮复合材料制造技术

本发明专利技术涉及高分子材料领域，公开了一种用于半导体器件的抗静电聚醚醚酮复合材料，抗静电聚醚醚酮复合材料包括以下重量份原料：聚醚醚酮60‑70份、聚醚酰亚胺20‑30份、改性碳纳米管3‑5份、纳米核壳粒子2‑4份、偶联剂0.5‑1份、抗氧剂0.2‑0.5份；改性碳纳米管由碳纳米管经酸化处理后表面接枝咪唑基季铵盐得到；纳米核壳粒子由纳米T iO2通过原位聚合包覆磺化聚苯胺得到的核壳结构，本发明专利技术抗静电聚醚醚酮复合材料通过聚醚酰亚胺共混，可降低复合体系的熔融黏度，解决聚醚醚酮加工温度高、流动性差的问题，通过添加改性碳纳米管和纳米核壳粒子的协同增效，赋予材料优异的力学性能、耐磨性能和抗静电性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于高分子材料领域，具体涉及一种用于半导体器件的抗静电聚醚醚酮复合材料

技术介绍

1、聚醚醚酮(peek)是一种新型热塑性工程塑料，具有非常优秀的物理、力学性能。peek是一种半结晶性、热塑性芳香族高分子材料，分子主链呈线型，含有链节，是聚芳醚酮系列聚合物中最主要的品种。其分子链中含有大量苯环，具有极好的耐热、耐磨、耐疲劳、耐辐照、耐剥离、抗蠕变等优异的物理及化学综合性能，且其两个醚键与羰基带来柔韧性与优良的工艺性，使得其在石油、化工、机械等领域作为特殊功能材料得到了广泛应用。

2、半导体制造工业对材料的抗静电性能要求很高，在电子产品的包装和运输过程中容易产生静电，如果静电不被导走会对电子产品造成很大的危害。为了赋予peek材料抗静电性能，通常可以通过以下几种方式进行改性：(1)添加导电填料：如碳纤维、碳黑、金属粉末等，这些填料可以提高材料的导电性，从而有效分散静电。(2)表面涂层：在peek材料表面涂覆一层导电涂层，可以在不改变材料本身性能的前提下实现抗静电效果。(3)共混改性：将peek与其他具有良好导电性的聚合物共混，形成复合材本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于半导体器件的抗静电聚醚醚酮复合材料，其特征在于，所述抗静电聚醚醚酮复合材料包括以下重量份原料：聚醚醚酮60-70份、聚醚酰亚胺20-30份、改性碳纳米管3-5份、纳米核壳粒子2-4份、偶联剂0.5-1份、抗氧剂0.2-0.5份；

2.根据权利要求1所述的用于半导体器件的抗静电聚醚醚酮复合材料，其特征在于，所述偶联剂为硅烷偶联剂KH550、硅烷偶联剂KH560、钛酸酯偶联剂NDZ101和铝酸酯偶联剂DL411中的一种。

3.根据权利要求1所述的用于半导体器件的抗静电聚醚醚酮复合材料，其特征在于，所述抗氧剂为抗氧剂168和抗氧剂1076按质量比3-4：1混...

【技术特征摘要】

1.一种用于半导体器件的抗静电聚醚醚酮复合材料，其特征在于，所述抗静电聚醚醚酮复合材料包括以下重量份原料：聚醚醚酮60-70份、聚醚酰亚胺20-30份、改性碳纳米管3-5份、纳米核壳粒子2-4份、偶联剂0.5-1份、抗氧剂0.2-0.5份；

2.根据权利要求1所述的用于半导体器件的抗静电聚醚醚酮复合材料，其特征在于，所述偶联剂为硅烷偶联剂kh550、硅烷偶联剂kh560、钛酸酯偶联剂ndz101和铝酸酯偶联剂dl411中的一种。

3.根据权利要求1所述的用于半导体器件的抗静电聚醚醚酮复合材料，其特征在于，所述抗氧剂为抗氧剂168和抗氧剂1076按质量比3-4：1混合。

4.根据权利要求1所述的用于半导体器件的抗静电聚醚醚酮复合材料，其特征在于，所述改性碳纳米管的制备方法包括以下步骤：

5.根据权利要求3所述的用于半导体器件的抗静电聚醚醚酮复合材料，其特征在于，所述步骤(2)中1,4-...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈杰，李文波，何建湘，
申请(专利权)人：广东中成特殊材料有限公司，
类型：发明
国别省市：