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本发明提供一种多晶硅表面二氧化硅微纳结构的加工方法，利用不同掺杂浓度的多晶硅在表面生长二氧化硅速率上的差异，实现微纳结构的制备；通过控制氧化生长时间，直接制备出纳米级别的微纳结构。本发明基于n型掺杂多晶硅和p型多晶硅表面氧化速率不同的原理，...
该专利属于上海航天技术基础研究所所有，仅供学习研究参考，未经过上海航天技术基础研究所授权不得商用。

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