【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及新型微纳加工，特别涉及一种多晶硅表面二氧化硅微纳结构的加工方法。
技术介绍
1、多晶硅是一种关键的半导体材料，广泛应用于集成电路、太阳能电池和光学器件等领域。多晶硅是单质硅的一种形态，熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，最终结晶成多晶硅。
2、通过对多晶硅进行掺杂，可以调控其电学性能，形成pn结结构，改变材料中电子和空穴的流动特性。多晶硅薄膜广泛应用于mos晶体管栅极、电阻器、双极电路工艺等半导体器件的重要结构中。在太阳能电池领域，通过掺杂工艺，可以在多晶硅中形成p型和n型区域，从而在光照下产生电势差，实现光电转换。多晶硅太阳能电池因其成本较低且光电转换效率较高，已成为光伏发电市场的主流产品之一。
3、在多晶硅实际工艺过程中，表面的钝化工艺是不可缺少的一环，需要在多晶硅表面生长一层二氧化硅，以保护器件不受氧化和污染，并作为绝缘层，减少表面电荷复合，降低器件漏电流，提升器件的性能和稳定性。
4、目前，多晶硅的结构化工艺主要通...
【技术保护点】
1.一种多晶硅表面二氧化硅微纳结构的加工方法，其特征在于，利用不同掺杂浓度的多晶硅在表面生长二氧化硅速率上的差异，实现微纳结构的制备；通过控制氧化生长时间，直接制备出纳米级别的微纳结构。
2.如权利要求1所述的多晶硅表面二氧化硅微纳结构的加工方法，其特征在于，包括如下步骤：
3.如权利要求2所述的多晶硅表面二氧化硅微纳结构的加工方法，其特征在于，所述步骤S1具体包括：
4.如权利要求2所述的多晶硅表面二氧化硅微纳结构的加工方法，其特征在于，所述步骤S2具体包括：
5.如权利要求2所述的多晶硅表面二氧化硅微纳结构的加工方法...
【技术特征摘要】
1.一种多晶硅表面二氧化硅微纳结构的加工方法，其特征在于，利用不同掺杂浓度的多晶硅在表面生长二氧化硅速率上的差异，实现微纳结构的制备；通过控制氧化生长时间，直接制备出纳米级别的微纳结构。
2.如权利要求1所述的多晶硅表面二氧化硅微纳结构的加工方法，其特征在于，包括如下步骤：
3.如权利要求2所述的多晶硅表面二氧化硅微纳结构的加工方法，其特征在于，所述步骤s1具体包括：
4.如权利要求2所述的多晶硅表面二氧化硅微纳结构的加工方法，其特征在于，所述步骤s2具体包括：
5.如权利要求2所述的多晶硅表面二氧化硅微纳结构的加工方法，其特征在于，所述薄钝化层为mos工艺栅氧介质层；所述相对较厚钝化层为掩模、局部氧化隔离或电容结构。
6.如权利要求2所述的多晶硅表面二氧化硅微纳结构的加工方法...
【专利技术属性】
技术研发人员：王烁，琚安安，秦林生，杨利琛，陈萝娜，
申请(专利权)人：上海航天技术基础研究所，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。