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本申请公开了一种用于非易失性两端存储器的预充电电路以及预充电方法。其中，非易失性两端存储器包括M*N个非易失性两端存储部组成的存储阵列，M和N均为大于或等于1的整数；存储阵列中，每列的非易失性两端存储部连接至同一位线；预充电电路包括：预充电...
该专利属于昕原半导体（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过昕原半导体（上海）有限公司授权不得商用。

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