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本发明公开了一种纳米时栅位移传感器的电子器件热循环试验方案确定方法，该方法针对具体纳米时栅位移传感器，考虑了不同纳米时栅位移传感器的电子器件的工作温度范围，显著提升了试验结果的准确性。且该方法通过融合Coffin‑Manson热疲劳寿命理论...
该专利属于通用技术集团国测时栅科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过通用技术集团国测时栅科技有限公司授权不得商用。

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