一种纳米时栅位移传感器的电子器件热循环试验方案确定方法技术

本发明专利技术公开了一种纳米时栅位移传感器的电子器件热循环试验方案确定方法，该方法针对具体纳米时栅位移传感器，考虑了不同纳米时栅位移传感器的电子器件的工作温度范围，显著提升了试验结果的准确性。且该方法通过融合Coffin‑Manson热疲劳寿命理论与Miner线性累积损伤理论，对热循环试验的有效性及可接受性进行了科学分析，从而制定出了合理且高效的试验方案。该方法不仅能够评价不同纳米时栅位移传感器的电子器件所采用的各种热循环试验方案是否合理有效，还能有效规避欠应力与过应力问题，在避免故障漏检的同时，也防止了产品遭受不必要的损伤，具有更强的针对性与合理性，降低了纳米时栅位移传感器的电子器件在精密位移测量中的应用风险。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及纳米时栅，具体涉及一种纳米时栅位移传感器的电子器件热循环试验方案确定方法。

技术介绍

1、纳米时栅技术是一种利用时间测量空间的高精度位移测量技术，因其具有高精度、高可靠性和抗干扰能力强等特点，逐渐成为替代传统光学测量技术的理想选择。其产品包括纳米直线时栅和纳米圆时栅两大类，在纳米时栅位移传感器的研制过程中，合理有效的热循环试验，可以帮助研发人员筛选出纳米时栅位移传感器的潜在早期故障，从而进行有针对性的改进，以保证纳米时栅位移传感器在正常工作条件下的可靠性及使用寿命。

2、目前，纳米时栅位移传感器热循环试验主要依据gb/t 2423.1-2008、gb/t2423.2-2008中的相关规定进行。但以上标准，在针对不同的电工电子产品组件时，仍采用相同的试验要求，未考虑不同纳米时栅位移传感器的电子器件的工作特性，缺乏针对性。这种“一刀切”的试验方式导致实际工程中频繁出现，通过热循环试验的纳米时栅位移传感器的电子器件在设计寿命周期内出现故障的情况。此外，现有热循环试验还忽视了试验应力设置的合理性可能带来的双重风险：施加的过应力可能导致合格本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种纳米时栅位移传感器的电子器件热循环试验方案确定方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的纳米时栅位移传感器的电子器件热循环试验方案确定方法，其特征在于，所述步骤S31和S51中，

3.根据权利要求1所述的纳米时栅位移传感器的电子器件热循环试验方案确定方法，其特征在于，所述步骤S61中，

4.根据权利要求1所述的纳米时栅位移传感器的电子器件热循环试验方案确定方法，其特征在于，所述步骤S32和S52中，

5.根据权利要求1所述的纳米时栅位移传感器的电子器件热循环试验方案确定方法，其特征在于，所述步骤S62中，

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【技术特征摘要】

1.一种纳米时栅位移传感器的电子器件热循环试验方案确定方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的纳米时栅位移传感器的电子器件热循环试验方案确定方法，其特征在于，所述步骤s31和s51中，

3.根据权利要求1所述的纳米时栅位移传感器的电子器件热循环试验方案确定方法，其特征在于，所述步骤s61中，

4.根据权利要求1所述的纳米时栅位移传感器的电子器件热循环试验方案确定方法，其特征在于，所述步骤s32和s52中，

5.根据权利要求1所述的纳米时栅位移传感器的电子器件热循环试验方案确定方法，其特征在于，所述步骤s62中，

6.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：樊星辰，彭凯，蒲红吉，邓树典，邓志钊，
申请(专利权)人：通用技术集团国测时栅科技有限公司，
类型：发明
国别省市：

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