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本发明提供了一种降低腔体铜原子含量的方法，涉及半导体工艺技术领域，为解决相关技术提供的控制铜污染的方法存在成本较高及占用较多人力和时间的问题而设计。该降低腔体铜原子含量的方法包括：将腔体升温至预设温度；向腔体通入含氧气体，利用含氧气体与腔体...
该专利属于北京集成电路装备创新中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京集成电路装备创新中心有限公司授权不得商用。

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