一种降低腔体铜原子含量的方法技术

技术编号：46377030 阅读：4 留言：0更新日期：2025-09-15 12:56

本发明专利技术提供了一种降低腔体铜原子含量的方法，涉及半导体工艺技术领域，为解决相关技术提供的控制铜污染的方法存在成本较高及占用较多人力和时间的问题而设计。该降低腔体铜原子含量的方法包括：将腔体升温至预设温度；向腔体通入含氧气体，利用含氧气体与腔体的铜原子反应形成铜氧化物；向腔体通入吹扫气体，利用吹扫气体将铜氧化物带出腔体。本发明专利技术利用含氧气体在高温环境下与铜原子进行化学反应以降低铜原子含量的方式，不仅无需更换成本高昂的设备部件，降低了成本，而且，也不需要定期对设备的部件进行拆卸清洗，从而节约了人力和时间。

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【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体工艺，具体而言，涉及一种降低腔体铜原子含量的方法。

技术介绍

1、在半导体制造工艺中，立式氧化炉是高温工艺(如：氧化、扩散和退火等)的关键设备。然而，在高温工艺中，腔体内部的石英管或其他部件会释放微量的铜原子，而且，采用铜互连工艺的晶圆也会将一些铜原子引入腔体。这些存在于腔体的铜原子，会对立式氧化炉的工艺产生负面影响。因此，在立式氧化炉工艺中，严格控制铜污染是保证器件结构和电学性能的关键。

2、相关技术提供的控制铜污染的方法主要有以下两种：1、采用高纯度石英部件来替换原有的机台部件，利用高纯度石英材料的低污染性，减少高温工艺中铜原子的释放；2、将立式氧化炉中的部件拆卸取出浸泡于稀硝酸或稀盐酸溶液中，并根据不同的污染程度确认清洗时间，在清洗完成后使用去离子水彻底冲洗以去除残留化学溶液，最后在充满氮气的烘箱中吹干。其中，采用高纯度石英材料成本较高，而采用定期清洗技术则需要拆卸和安装部件，操作复杂，不仅占用较多人力和时间，成本较高，而且，还会降低产率。

技术实现思路

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【技术保护点】

1.一种降低腔体铜原子含量的方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的降低腔体铜原子含量的方法，其特征在于，所述向所述腔体通入吹扫气体的步骤之前，还包括：

3.根据权利要求2所述的降低腔体铜原子含量的方法，其特征在于，所述腔体的降温速率为5～10℃/min。

4.根据权利要求1所述的降低腔体铜原子含量的方法，其特征在于，所述预设温度为800～1000℃；和/或，所述腔体的升温速率为5～10℃/min。

5.根据权利要求1所述的降低腔体铜原子含量的方法，其特征在于，所述含氧气体包括纯度为99.99％的氧气。