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本发明提供一种存储器多行之间串扰的测试方法,包括:首先对存储器进行擦除操作为FF;逐次对第一对角线至第N‑1对角线上的逻辑地址对应的字节或字进行编程操作,并且每条对角线编程后,均对剩余未编程行的字节或字进行读操作,构成一轮编程和读取。若前一...该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。
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本发明提供一种存储器多行之间串扰的测试方法,包括:首先对存储器进行擦除操作为FF;逐次对第一对角线至第N‑1对角线上的逻辑地址对应的字节或字进行编程操作,并且每条对角线编程后,均对剩余未编程行的字节或字进行读操作,构成一轮编程和读取。若前一...