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本发明公开了一种基于纳米片自组装形貌过渡金属碳化物的场效应晶体管传感器的制备方法及其cTnI的检测应用，制备方法包括如下步骤：步骤一、制备纳米片自组装形貌MXene，步骤a、以Ti₃AlC₂ MAX相为原料，蚀刻；步骤b、将蚀刻后的MXen...
该专利属于江阴市人民医院所有，仅供学习研究参考，未经过江阴市人民医院授权不得商用。

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