【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于生物传感器领域，尤其涉及一种基于纳米片自组装形貌过渡金属碳化物的场效应晶体管传感器的制备方法及其ctni的检测应用。
技术介绍
1、心肌梗死是一种严重的心血管疾病，通常是由于心肌缺血引起的。它是心血管疾病的主要死因之一，每年导致数百万人死亡。因此，对心肌梗死的早期诊断至关重要，可以及时采取措施防止疾病的进一步恶化，挽救生命。在心肌梗死的诊断中，ctni是一种非常重要的生物标志物，因为它是心肌细胞损伤后释放的主要成分之一。在心肌梗死发作后的几个小时内，ctni就会出现在血液中，并且会持续存在一段时间。因此，通过检测血液中ctni的水平，可以很好地诊断心肌梗死，特别是早期的心肌梗死，从而及时采取有效的治疗措施。此外，通过对ctni水平的监测，还可以对心肌梗死的预后进行评估，了解病情的严重程度和治疗效果。因此，ctni在心肌梗死的诊断中具有重要的意义，可以帮助医生及时诊断心肌梗死并采取有效的治疗措施，从而减少死亡率和残疾率。
2、故开发一种实用的生物传感器来诊断心肌梗死是至关重要的。然而，由于心肌肌钙蛋白(ctni)...
【技术保护点】
1.基于纳米片自组装形貌过渡金属碳化物的场效应晶体管传感器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的基于纳米片自组装形貌过渡金属碳化物的场效应晶体管传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤一、步骤a中，氢氟酸HF-氟化锂LiF梯度蚀刻法中，使用的氢氟酸HF和氟化锂LiF的摩尔比为HF:LiF = 1:4。
3.根据权利要求1所述的基于纳米片自组装形貌过渡金属碳化物的场效应晶体管传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤一、步骤b中，十六烷基三甲基溴化铵CTAB模板剂溶液中，十六烷基三甲基溴化铵CTAB的浓度为10 wt%。>
4.根据权利...
【技术特征摘要】
1.基于纳米片自组装形貌过渡金属碳化物的场效应晶体管传感器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的基于纳米片自组装形貌过渡金属碳化物的场效应晶体管传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤一、步骤a中，氢氟酸hf-氟化锂lif梯度蚀刻法中，使用的氢氟酸hf和氟化锂lif的摩尔比为hf:lif = 1:4。
3.根据权利要求1所述的基于纳米片自组装形貌过渡金属碳化物的场效应晶体管传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤一、步骤b中，十六烷基三甲基溴化铵ctab模板剂溶液中，十六烷基三甲基溴化铵ctab的浓度为10 wt%。
4.根据权利要求1所述的基于纳米片自组装形貌过渡金属碳化物的场效应晶体管传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤一、步骤c中，所述冷冻干燥-限域退火法的过程包括采用-196℃液氮冷冻然后在400-450℃温度下氩气退火2-5小时。
5.根据权利要求1所述的基于纳米片自组装形貌过渡金属碳化物的场效应晶体管传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤一、步骤c中，固定的三维网络结构的片层间距为5-20nm。
6.根据权利要求1所述的基于纳米片自组装形貌过渡金属碳化物的场效应晶体管传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤二中，制备纳米片自组装形貌过渡金属碳化物的场效应晶体管传感器的方法具体包括如下步骤：首先将步骤一制备好的纳米片自组装形貌mxene材料分散于去离子水中，保证纳米片自组装形貌mxene材料的浓度为2-5 mg/ml，然后超声30分钟使其...
【专利技术属性】
技术研发人员：陶金松，韩进，李伟章，俞敏娟，崔俊友，张汝，
申请(专利权)人：江阴市人民医院，
类型：发明
国别省市：
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