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本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件。方法包括：刻蚀半导体衬底在第一方向上的第一部分，保留第二部分；刻蚀后的第一部分形成叠层结构，叠层结构包括在第一方向上堆叠设置的第一有源结构、第一材料层结构和第二有源结构；基于第一有...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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