【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体芯片制造领域，尤其涉及一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件。
技术介绍
1、在摩尔定律不断深化的当下，继续推进晶体管尺寸微缩是当前业界研发的热点问题。堆叠晶体管通过将两层或多层晶体管在垂直空间内集成，实现进一步提升晶体管集成密度，成为延续集成电路尺寸微缩的重要技术之一。
2、相关技术中，由于堆叠晶体管的堆叠方向为第一方向，垂直晶体管的内部结构的排布方向也为第一方向，因此在利用垂直晶体管形成堆叠晶体管时，堆叠晶体管的内部结构在第一方向上的集成度会过高，从而不利于各内部结构完成金属引出。
技术实现思路
1、本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件，以提高晶体管的集成密度，进一步提升晶体管的集成性能。
2、第一方面，本申请实施例提供一种堆叠晶体管的制备方法，该堆晶体管的制备方法包括：刻蚀半导体衬底在第一方向上的第一部分，保留半导体衬底在第一方向上的第二部分，其中，刻蚀后的第一部分形成叠层结构，叠层结构包括在第一方向上堆叠设置的...
【技术保护点】
1.一种堆叠晶体管的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述基于所述第一有源结构，依次形成沿第一方向排布的第一源漏结构、环绕所述第一有源结构的第一栅极结构和第二源漏结构，包括：
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述第一侧墙结构在所述第一方向上的长度和所述第二侧墙结构在所述第一方向上的长度不同。
4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述在所述第二部分之上形成第一浅沟槽隔离结构，包括：
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述第一包裹结构包括第一硬质结...
【技术特征摘要】
1.一种堆叠晶体管的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述基于所述第一有源结构，依次形成沿第一方向排布的第一源漏结构、环绕所述第一有源结构的第一栅极结构和第二源漏结构，包括：
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述第一侧墙结构在所述第一方向上的长度和所述第二侧墙结构在所述第一方向上的长度不同。
4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述在所述第二部分之上形成第一浅沟槽隔离结构，包括：
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述第一包裹结构包括第一硬质结构和第二硬质结构；所述第一硬质结构覆盖所述第一有源结构的第二部分的端部；
6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述在所述第一浅沟槽隔离结构之上，基于所述第一有源结构第一部分，形成第一源漏结构，包括：
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述在所述第一源漏结构之上沉积绝缘材料，以形成第一侧墙结构，包括：
8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述第一垂直晶体管还包括包裹所述第一栅极结构和所述第二源漏结构的第一层间介质层；
9.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述基于所述第二有源结构，依次形成沿第一方向排布的第三源漏结构、环绕所述第二有源结构的第二栅极结构和第四源漏结构，包括：
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述刻...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴恒，王逸勐，王润声，黎明，黄如，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：
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