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本发明公开了一种氧化镓芯片通孔设计方法、氧化镓芯片及制备方法，所述设计方法包括，对氧化镓芯片进行电学、传热和力学分析，构建多物理场模型；根据多物理场模型对氧化镓芯片进行设计优化，得到优化后的参数。本发明通过构建多物理场模型对氧化镓芯片的结构...
该专利属于武汉大学所有，仅供学习研究参考，未经过武汉大学授权不得商用。

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