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本发明公开了一种平面碳化硅MOSFET结构及其制造方法。本发明的平面型碳化硅MOSFET结构的制造方法通过在同一离子注入区域先后注入铝离子（形成P‑1区）和硼离子（形成了P‑2区），利用铝离子和硼离子在碳化硅材料中的扩散特性，无需额外的掩膜...
该专利属于蓝芯芯电子科技（深圳）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过蓝芯芯电子科技（深圳）有限公司授权不得商用。

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