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本申请公开了一种半导体激光芯片及其制作方法和激光设备，涉及半导体技术领域。本申请实施例提供的半导体激光芯片包括外延片、第一膜层以及第二膜层。外延片包括沿半导体激光芯片的快轴方向依次层叠设置的第一量子阱结构、隧道结以及第二量子阱结构。第一膜层...
该专利属于度亘核芯光电技术（苏州）股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过度亘核芯光电技术（苏州）股份有限公司授权不得商用。

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