半导体激光芯片及其制作方法和激光设备技术

本申请公开了一种半导体激光芯片及其制作方法和激光设备，涉及半导体技术领域。本申请实施例提供的半导体激光芯片包括外延片、第一膜层以及第二膜层。外延片包括沿半导体激光芯片的快轴方向依次层叠设置的第一量子阱结构、隧道结以及第二量子阱结构。第一膜层形成于外延片的前腔面，第二膜层形成于外延片的后腔面，第一膜层用于透过第一发光区产生的光子形成第一光束，并反射第二发光区产生的光子；第二膜层用于透过第二发光区产生的光子形成第二光束并反射第一发光区产生的光子。本申请的半导体激光芯片能够有效地实现双向出光，提高半导体激光芯片的可靠性，也改善了相关技术中单侧出光的双结芯片存在暗区的问题。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体，具体而言，涉及一种半导体激光芯片及其制作方法和激光设备。

技术介绍

1、现有技术中，采用隧道结将pn结（比如量子阱结构）在垂直方向级联的多结芯片是提高单芯片输出功率的有效途径。以双结芯片为例，理想情况下双结芯片输出功率约可以达到单节芯片输出功率的两倍，同时可以实现单侧双波长输出等效果，具有较大的应用潜力。

2、目前典型的双结芯片在前腔面镀增透膜（ar），后腔面镀高反膜（hr），从而实现从前腔面的单向出光。但是，由于双结芯片的两个输出光斑间存在暗区，会导致垂直方向的亮度下降，不利于光纤耦合应用。并且，由于两个以上的光束从同侧出光，相邻的两个光斑距离较近，前腔面温度较高，芯片的可靠性较差。

技术实现思路

1、本申请的目的包括提供一种半导体激光芯片及其制作方法和激光设备，该半导体激光芯片能够满足较高的光纤耦合要求，并且可靠性较佳。

2、本申请的实施例可以这样实现：

3、第一方面，本申请提供一种半导体激光芯片，包括外延片、第一膜层以及第二膜层；

4、外本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体激光芯片，其特征在于，包括外延片、第一膜层（140）以及第二膜层（150）；

2.根据权利要求1所述的半导体激光芯片，其特征在于，所述第一光束的波长为650~1000nm，所述第二光束的波长为800~1200nm。

3.根据权利要求2所述的半导体激光芯片，其特征在于，所述第一膜层（140）对所述第一发光区（110）产生的光子的反射率小于5%，所述第二膜层（150）对所述第二发光区（120）产生的光子的反射率小于5%；

4.根据权利要求1-3中任一项所述的半导体激光芯片，其特征在于，发光区包括沿所述半导体激光芯片(100)的快轴方向设置的有...

【技术特征摘要】

1.一种半导体激光芯片，其特征在于，包括外延片、第一膜层（140）以及第二膜层（150）；

2.根据权利要求1所述的半导体激光芯片，其特征在于，所述第一光束的波长为650~1000nm，所述第二光束的波长为800~1200nm。

3.根据权利要求2所述的半导体激光芯片，其特征在于，所述第一膜层（140）对所述第一发光区（110）产生的光子的反射率小于5%，所述第二膜层（150）对所述第二发光区（120）产生的光子的反射率小于5%；

4.根据权利要求1-3中任一项所述的半导体激光芯片，其特征在于，发光区包括沿所述半导体激光芯片(100)的快轴方向设置的有源层，所述有源层的上下两侧均设置有限制层；

5.根据权利要求4所述的半导体激光芯片，其特征在于，所述有源层包括依次层叠设置的n型波导层、量子阱层以及p型波导层。

6.根据权利要求5所述的半导体激光芯片，其特征在于，所述限制层和所述n型波导层以及所述p型波导层的材料为aigaas，所述量子阱层的材料为gaasp、ingaas或inaigaas。

7.根据权利要求5所述的半导体激光芯片，其特征在于，所述量子阱层在所述半导体激光芯片（100）的快轴方向上的厚度为3~30nm。

8.根据权利要求5所述的半导体激光芯片，其特征在于，所述第一发光区的有源层包括第一量子阱层（1122）；所述第二发光区的有源层包括第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘育衔，唐松，杨国文，王瓒，
申请(专利权)人：度亘核芯光电技术苏州股份有限公司，
类型：发明
国别省市：