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本发明公开了一种提高存储器件可靠性的制造方法，旨在解决现有技术中位线多晶硅等离子体刻蚀引入损伤导致可靠性降低的问题。该方法包括：在形成有字线和位线沟槽的半导体结构上沉积第一多晶硅层，利用沟槽尺寸差异使其填充字线沟槽并在位线沟槽侧壁形成多晶硅...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

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