提高存储器件可靠性的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种提高存储器件可靠性的制造方法，旨在解决现有技术中位线多晶硅等离子体刻蚀引入损伤导致可靠性降低的问题。该方法包括：在形成有字线和位线沟槽的半导体结构上沉积第一多晶硅层，利用沟槽尺寸差异使其填充字线沟槽并在位线沟槽侧壁形成多晶硅间隔物；沉积硬掩膜层填充位线沟槽剩余空间；进行平坦化处理；沉积单元保护层；选择性去除位线区域上方的单元保护层以暴露硬掩膜层；去除暴露的硬掩膜层；采用无等离子体刻蚀工艺(例如化学下游刻蚀)去除位线区域的多晶硅间隔物。通过采用无等离子体刻蚀去除位线多晶硅间隔物，避免了对浮栅周围绝缘氧化层的损伤，保护了其完整性，从而显著提高了存储器件的数据保持能力和整体可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，特别是涉及一种提高存储器件可靠性的制造方法。

技术介绍

1、nord flash(或称nord闪存)是一种常见的非易失性存储器技术，广泛应用于各种电子设备中。在nord flash器件的结构中，浮栅(floating gate,fg)是存储电荷(通常是电子)的核心单元，用于表示存储数据的状态(例如“0”或“1”)。浮栅通常由多晶硅材料制成，并被绝缘介质层完全包裹，这些介质层包括位于浮栅下方的隧穿介质层(tunnelingoxide,tunox)、位于浮栅上方的栅间介质层(inter-poly oxide/dielectric,ipo，通常为ono结构，即氧化物-氮化物-氧化物)以及侧面的隔离介质等。

2、为了确保nord flash器件能够长期可靠地存储数据，即具有良好的数据保持能力(data retention,dr)，包裹浮栅的绝缘介质层的质量至关重要。如果这些介质层在任何方向上存在缺陷或者膜质不佳，存储在浮栅中的电子就可能通过这些薄弱点泄漏出去，导致存储的数据丢失或错误，造成数据保持能力失效。p>

3、在常规本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种提高存储器件可靠性的制造方法，其特征在于，至少包括：

2.根据权利要求1所述的提高存储器件可靠性的制造方法，其特征在于：所述形成有存储器件的字线区域沟槽和位线区域沟槽的半导体结构是通过包括以下步骤的方法获得的：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成叠层结构，所述叠层结构至少包括依次形成的浮栅多晶硅层、极间介质层、控制栅多晶硅层和掩膜层；以及图形化所述叠层结构，以在存储区形成所述字线区域沟槽和所述位线区域沟槽。

3.根据权利要求2所述的提高存储器件可靠性的制造方法，其特征在于：在步骤一中，所述叠层结构还包括在所述半导体衬底和所述浮栅多晶硅层之间形成的耦...

【技术特征摘要】

1.一种提高存储器件可靠性的制造方法，其特征在于，至少包括：

2.根据权利要求1所述的提高存储器件可靠性的制造方法，其特征在于：所述形成有存储器件的字线区域沟槽和位线区域沟槽的半导体结构是通过包括以下步骤的方法获得的：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成叠层结构，所述叠层结构至少包括依次形成的浮栅多晶硅层、极间介质层、控制栅多晶硅层和掩膜层；以及图形化所述叠层结构，以在存储区形成所述字线区域沟槽和所述位线区域沟槽。

3.根据权利要求2所述的提高存储器件可靠性的制造方法，其特征在于：在步骤一中，所述叠层结构还包括在所述半导体衬底和所述浮栅多晶硅层之间形成的耦合氧化层。

4.根据权利要求2所述的提高存储器件可靠性的制造方法，其特征在于：在步骤一中，所述极间介质层为氧化物-氮化物-氧化物层。

5.根据权利要求3所述的提高存储器件可靠性的制造方法，其特征在于：图形化所述叠层结构以形成所述字线区域沟槽和位线区域沟槽的过程包括：刻蚀所述存储区的所述掩膜层以形成第一沟槽；在所述第一沟槽中形成第一侧墙结构，所述第一侧墙结构覆盖所述第一沟槽的侧壁；刻蚀所述第一沟槽底壁的所述控制栅多晶硅层和所述极间介质层以形成第二沟槽；在所述第二沟槽中形成第二侧墙结构，所述第二侧墙结构覆盖所述第二沟槽的部分侧壁；刻蚀所述第二沟槽底壁的所述浮栅多晶硅层和所述耦合氧化层以形成第三沟槽；形成隧穿介质层，所述隧穿介质层覆盖所述第三沟槽的底壁和侧壁。

6.根据权利要求1所述的提高存储器件可靠性的制造方法，其特征在于：在步骤一中，所述第一多晶硅层的沉积厚度为500至700埃。

7.根据权利要求1所述的提高存储器件可靠性的制造方法，其特征在于：在步骤二中，所述硬掩膜层为氮化硅层。

8.根据权利要求7所述的提高存储器件可靠性的制造方法，其特征在于：在步骤二中，所述氮...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋辉，李志国，王卉，周洋，梁轩铭，闫亦，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：