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本发明公开了一种基于N型局部有源忆阻器的忆阻耦合神经元电路，由三个模块构成：第一忆阻神经元模块、第二忆阻神经元模块以及突触模块；N型局部有源忆阻器是一种整体无源但局部有源忆阻器，在DC V‑I曲线中呈现N型的负微分电导特性。通过将两个忆阻神...
该专利属于杭州电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过杭州电子科技大学授权不得商用。

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