一种基于N型局部有源忆阻器的忆阻耦合神经元电路制造技术

本发明专利技术公开了一种基于N型局部有源忆阻器的忆阻耦合神经元电路，由三个模块构成：第一忆阻神经元模块、第二忆阻神经元模块以及突触模块；N型局部有源忆阻器是一种整体无源但局部有源忆阻器，在DC V‑I曲线中呈现N型的负微分电导特性。通过将两个忆阻神经元模块通过N型局部有源忆阻器进行耦合构成忆阻耦合神经元电路，通过调整适当的耦合忆阻器的模型参数，使得两个神经元再现Smale悖论现象及从振荡到混沌的转变，填补了现有技术使用N型局部有源忆阻器耦合忆阻神经元电路研究的空白，为基于N型局部有源忆阻器的忆阻耦合神经元电路在神经形态计算中的应用奠定了一定的基础。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及神经元电路设计领域，特别涉及一种基于n型局部有源忆阻器的忆阻耦合神经元电路。

技术介绍

1、神经形态计算通过仿生硬件模拟生物神经系统，实现高效并行的信息处理与存储。忆阻神经元将忆阻器的非线性特性与神经元动力学结合，真实地再现了生物神经系统的学习与记忆过程。忆阻器作为突触元件耦合忆阻神经元，标志着计算架构从传统神经网络向更接近生物神经系统的转变。

2、局部有源忆阻耦合神经元电路凭借其独特的非线性调控特性，能够产生复杂振荡等丰富动力学行为，为模拟生物神经网络中的突触耦合机制以及构建高效类脑计算硬件提供了全新方案。混沌边缘是忆阻器的局部有源域的一个子集，它稳定但具有潜在的不稳定性，在外界适当扰动下可诱发其失稳从而产生复杂的非线性动力学现象。非线性系统之间的相互耦合在多个应用领域中具有重要的研究价值。

3、现有技术中尚未出现基于n型局部有源忆阻器的忆阻耦合神经元电路。

技术实现思路

1、本专利技术是针对现有技术存在的问题，提出的一种基于n型局部有源忆阻器的忆阻耦合神经元电路。...

【技术保护点】

1.一种基于N型局部有源忆阻器的忆阻耦合神经元电路，其特征在于，包括：两个忆阻神经元模块，每个所述忆阻神经元模块包括依次串连的电阻、电感和N型局部有源忆阻器；所述N型局部有源忆阻器两端并联有电容；

2.如权利要求1所述一种基于N型局部有源忆阻器的忆阻耦合神经元电路，其特征在于，两个忆阻神经元模块分别命名为第一忆阻神经元模块、第二忆阻神经元模块；

3.如权利要求2所述一种基于N型局部有源忆阻器的忆阻耦合神经元电路，其特征在于，

4.如权利要求1所述一种基于N型局部有源忆阻器的忆阻耦合神经元电路，其特征在于，

5.根据权利要求4一种基于N型局部...

【技术特征摘要】

1.一种基于n型局部有源忆阻器的忆阻耦合神经元电路，其特征在于，包括：两个忆阻神经元模块，每个所述忆阻神经元模块包括依次串连的电阻、电感和n型局部有源忆阻器；所述n型局部有源忆阻器两端并联有电容；

2.如权利要求1所述一种基于n型局部有源忆阻器的忆阻耦合神经元电路，其特征在于，两个忆阻神经元模块分别命名为第一忆阻神经元模块、第二忆阻神经元模块；

3....

【专利技术属性】
技术研发人员：李怡青，卢振洲，梁燕，
申请(专利权)人：杭州电子科技大学，
类型：发明
国别省市：