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本发明属于半导体晶体生长技术领域，具体公开了一种制备In2Se3半导体晶体的方法。本发明将摇摆炉工艺与垂直坩埚下降法系统相结合，应用于In2Se3大单晶生长，突破尺寸与成分均匀性瓶颈；通过优化原料配比、温度梯度、生长速率和退火工艺等参数，制...
该专利属于上海电机学院所有，仅供学习研究参考，未经过上海电机学院授权不得商用。

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