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一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成介电墙结构；形成所述介电墙结构之后，在所述衬底上形成鳍部组，所述鳍部组包括至少2个鳍部，垂直鳍部延伸方向，所述介电墙结构位于相邻2个所述鳍部之间。在形成所述鳍部之前，在所述衬底...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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