半导体结构及其形成方法技术

一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成介电墙结构；形成所述介电墙结构之后，在所述衬底上形成鳍部组，所述鳍部组包括至少2个鳍部，垂直鳍部延伸方向，所述介电墙结构位于相邻2个所述鳍部之间。在形成所述鳍部之前，在所述衬底上形成介电墙结构，所述介电墙结构的形貌较易控制且形成所述介电墙结构的工艺简单，提升了半导体结构的性能稳定性；而且直接形成所述介电墙结构，无需进行填充，不会在介电墙结构内形成空隙，所述介电墙结构的可靠性更高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造工艺，具体涉及一种半导体结构及其形成方法。

技术介绍

1、叉片晶体管(forksheetfield-effect transistor，fshfet)是一种特殊类型的鳍式场效应晶体管(fin field-effect transistor，finfet)，叉片晶体管是基于以纳米片(nanosheet)做沟道的全环绕栅极晶体管(gate-all-around fet，gaafet)结构，通过在n型金属氧化物半导体(n-metal-oxide-semiconductor，nmos)和p型金属氧化物半导体(p-metal-oxide-semiconductor，pmos)中间构建介电墙形成，介电墙将pmos侧和nmos侧隔开。相对传统的纳米片(nanosheet)而言，叉片晶体管具有nmos与pmos的间距更小、晶体管占用面积更小以及晶体管电容更低等优势。

2、然而，目前的介电墙结构有待进一步改善。

技术实现思路

1、本专利技术解决的技术问题是如何改善介电墙结构的形貌，提升半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述衬底上形成介电墙结构的步骤包括：

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，刻蚀所述初始介电墙的步骤包括：以所述第一掩膜层为掩膜，对所述初始介电墙进行第一刻蚀以形成所述介电墙结构。

4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一刻蚀包括：各向异性干法刻蚀。

5.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，刻蚀所述初始介电墙的步骤还包括：对经第一刻蚀的初始介电墙进行第二刻蚀以形成所述介电墙结构...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述衬底上形成介电墙结构的步骤包括：

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，刻蚀所述初始介电墙的步骤包括：以所述第一掩膜层为掩膜，对所述初始介电墙进行第一刻蚀以形成所述介电墙结构。

4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一刻蚀包括：各向异性干法刻蚀。

5.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，刻蚀所述初始介电墙的步骤还包括：对经第一刻蚀的初始介电墙进行第二刻蚀以形成所述介电墙结构。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二刻蚀包括各向同性刻蚀。

7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述各向同性刻蚀包括各向同性的湿法刻蚀和各向同性的干法刻蚀中的至少一种。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述介电墙结构的高宽比的范围为：5：1～15:1。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述介电墙结构的材料包括氧化硅、硅碳氮、氮氧化硅和硅氧碳氮中的一种或多种的组合。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：张静，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：