下载基于半浮栅的像素器件及其制造方法、图像传感器的技术资料

文档序号:46076216

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本发明提供一种基于半浮栅的像素器件及其制造方法、图像传感器,包括深阱和沟槽晶体管;沟槽晶体管的有源区与深阱紧邻,源极位于有源区的顶部表面,且通过半浮栅与深阱相隔开;漏极位于深阱远离有源区的一侧顶部表面;半浮栅覆盖深阱的部分表面,部分嵌入所述...
该专利属于复旦大学所有,仅供学习研究参考,未经过复旦大学授权不得商用。

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