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提供了一种功率半导体器件，包括：第一沟槽，其从半导体层的表面沿第一方向凹入至所述半导体层中，并且沿与所述第一方向不同的第二方向延伸；源极接触区，与所述半导体层的表面接触，并且在所述第二方向上与所述第一沟槽间隔开；源极区，与所述源极接触区和第...
该专利属于现代摩比斯株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过现代摩比斯株式会社授权不得商用。

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