功率半导体器件制造技术

提供了一种功率半导体器件，包括：第一沟槽，其从半导体层的表面沿第一方向凹入至所述半导体层中，并且沿与所述第一方向不同的第二方向延伸；源极接触区，与所述半导体层的表面接触，并且在所述第二方向上与所述第一沟槽间隔开；源极区，与所述源极接触区和第一沟槽的一侧接触，并具有第一导电类型杂质；阱区，与所述源极区的底面和一侧接触，并且与所述第一沟槽的两侧和底面接触，并且具有第二导电类型杂质；漂移区，与所述阱区的底面接触并且具有第一导电类型杂质；以及结电阻减小区，设置在所述阱区中，并且与所述漂移区和所述第一沟槽的底面接触，并且具有第一导电类型杂质。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及一种半导体器件，并且更具体地，涉及一种用于开关功率传输的功率半导体器件及其制造方法。

技术介绍

1、功率半导体器件是在高电压和高电流环境中操作的半导体器件。功率半导体器件用于需要大功率开关的领域，例如功率转换、功率转换器、逆变器等。例如，功率半导体器件可以包括绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor，igbt)、金属氧化物半导体场效应晶体管(metal oxide semiconductor field effect transistor，mosfet)等。功率半导体器件基本上需要高耐压特性，并且如今，功率半导体器件还需要高速开关操作。

2、这样，正在开发使用碳化硅(sic)代替硅(si)的功率半导体器件。与硅相比，作为带隙大于硅的带隙的宽间隙半导体材料的碳化硅(sic)即使在高温下也可以保持稳定性。另外，因为碳化硅的击穿电场高于硅的击穿电场，所以即使在高温下，碳化硅也可以稳定地操作。因此，碳化硅通过以下特性使得在高温下稳定运行成为可能：比硅更高的击穿电压和优异的热释放。

3、为本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种功率半导体器件，包括：

2.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其中，所述源极接触区还沿着垂直于所述第二方向的第三方向延伸。

3.根据权利要求1所述的功率半导体器件，还包括：

4.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其中，所述第一方向垂直于所述第二方向。

5.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其中，所述结电阻减小区的所述第一导电类型杂质的浓度高于所述漂移区的所述第一导电类型杂质的浓度，并且低于所述源极区的所述第一导电类型杂质的浓度。

6.根据权利要求1所述的功率半导体器件，还包括：

7.根据权利要求1所述的...

【技术特征摘要】

1.一种功率半导体器件，包括：

2.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其中，所述源极接触区还沿着垂直于所述第二方向的第三方向延伸。

3.根据权利要求1所述的功率半导体器件，还包括：

4.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其中，所述第一方向垂直于所述第二方向。

5.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其中，所述结电阻减小区的所述第一导电类型杂质的浓度高于所述漂移区的所述第一导电类型杂质的浓度，并且低于所述源极区的所述第一导电类型杂质的浓度。

6.根据权利要求1所述的功率半导体器件，还包括：

7.根据权利要求1所述的功率半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：河定穆，禹赫，金信儿，金台烨，
申请(专利权)人：现代摩比斯株式会社，
类型：发明
国别省市：