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本发明涉及一种基于叠层钝化的增强型氮化镓器件及其制造方法，属于半导体器件技术领域。器件由下到上依次为衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN插层和AlGaN势垒层，AlGaN势垒层上侧设置有P‑GaN帽层，P‑GaN帽层两侧的AlGaN势垒...
该专利属于山东大学所有，仅供学习研究参考，未经过山东大学授权不得商用。

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