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本发明提供了一种P型微晶硅及其制备方法和应用，属于光电半导体器件技术领域。本发明进行第一等离子体增强化学气相沉积(工艺气体包括SiF<subgt;4</subgt;+Ar+H<subgt;2</subgt;)，得到处...
该专利属于陶嘉玲所有，仅供学习研究参考，未经过陶嘉玲授权不得商用。

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