一种P型微晶硅及其制备方法和应用技术

本发明专利技术提供了一种P型微晶硅及其制备方法和应用，属于光电半导体器件技术领域。本发明专利技术进行第一等离子体增强化学气相沉积(工艺气体包括SiF<subgt;4</subgt;+Ar+H<subgt;2</subgt;)，得到处理层；在处理层的表面进行第二等离子体增强化学气相沉积(工艺气体包括SiH<subgt;4</subgt;+H<subgt;2</subgt;+B<subgt;2</subgt;H<subgt;6</subgt;)，形成P型微晶硅主体层。本发明专利技术中，SiF<subgt;4</subgt;在等离子体中分解产生的F离子有一定的刻蚀作用，有助于打破非晶硅上的弱Si‑Si键，提供微晶硅的成核位点，同时，F离子一定程度上降低了位于阳极上的衬底的表面电位，有助于在等离子体中吸附H正离子，钝化微晶硅中的悬挂键并促进结晶，以SiF<subgt;4</subgt;为硅源沉积得到的处理层提供了一种更高效沉积高晶化率P型微晶硅的方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光电半导体器件，尤其涉及一种p型微晶硅及其制备方法和应用。

技术介绍

1、p型微晶硅具有比p型非晶硅更高的载流子迁移率和有效掺杂浓度，应用于光电器件中也具有更高的光吸收效率，因此被广泛应用于异质结太阳能电池等器件中，其性能优势是源于微晶硅的微结构中，在非晶相中嵌入的结晶相能够形成导电沟道，极大程度上促进载流子的输运，因此更优光电性能的p型微晶硅需要尽可能高的晶体体积分数，也就是高晶化率。但是在通过等离子体增强化学气相沉积(pecvd)设备生长p型微晶硅时，b掺杂会影响p型微晶硅的晶化率提高，使得沉积高晶化率的b掺杂微晶硅变得困难。

2、因此，一般需要通过种子层、co2-pt界面处理等办法去降低p型微晶硅初期生长过程过高的非晶孵化层厚度。但这些方法有些会影响器件的钝化性能，降低沉积的速度，影响产业化时的产能。

技术实现思路

1、有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种p型微晶硅及其制备方法和应用。本专利技术的制备方法能够快速沉积高晶化率的p型微晶硅。

2、为了实现上述专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种P型微晶硅的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一等离子体增强化学气相沉积的工艺气体压力为200～500Pa，沉积射频功率密度为0.02～0.15W/cm2。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述第一等离子体增强化学气相沉积时SiF4的气体流量为100～2000sccm。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述第一等离子体增强化学气相沉积时Ar与SiF4的气体流量比为1～20：1，所述第一等离子体增强化学气相沉积时H2与SiF4的气体流量比为1～5：1。

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【技术特征摘要】

1.一种p型微晶硅的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一等离子体增强化学气相沉积的工艺气体压力为200～500pa，沉积射频功率密度为0.02～0.15w/cm2。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述第一等离子体增强化学气相沉积时sif4的气体流量为100～2000sccm。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述第一等离子体增强化学气相沉积时ar与sif4的气体流量比为1～20：1，所述第一等离子体增强化学气相沉积时h2与sif4的气体流量比为1～5：1。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一等离子体增强化学气相沉积的温度为...

【专利技术属性】
技术研发人员：陶嘉玲，陶科，
申请(专利权)人：陶嘉玲，
类型：发明
国别省市：