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本发明提供一种半导体器件及其制造方法，该制造方法在以多晶硅栅极为掩膜，刻蚀去除所述多晶硅栅极暴露出的栅氧化层之后，且在进行后续结构的制造工序之前，采用包含第一离子的掺杂离子进行倾斜离子注入，从而使第一离子至少被注入到所述栅氧化层边缘与所述衬...
该专利属于青岛澳柯玛云联信息技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过青岛澳柯玛云联信息技术有限公司授权不得商用。

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