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本发明属于半导体器件制造领域，尤其涉及一种键合芯片制造方法及电性能改善型键合芯片。包括：步骤S1，将至少第一晶圆和第二晶圆堆叠键合而形成晶圆堆叠结构；步骤S2，蚀刻形成硅通孔导电图案层；步骤S3，以在晶圆堆叠结构的键合层侧边不会产生缝隙的方...
该专利属于北京芯力技术创新中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京芯力技术创新中心有限公司授权不得商用。

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