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本发明公开了一种晶圆氧化物去除及除气的装置、方法和工艺设备,装置包括:处理腔体,用于在第一温度和第一压力下,对晶圆进行第一时间的表面金属氧化物去除处理,和在第二温度和第二压力下,对同一个晶圆进行第二时间的去除表面氧气和水汽的除气处理;通过加...该专利属于安泊智汇半导体设备(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过安泊智汇半导体设备(上海)有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种晶圆氧化物去除及除气的装置、方法和工艺设备,装置包括:处理腔体,用于在第一温度和第一压力下,对晶圆进行第一时间的表面金属氧化物去除处理,和在第二温度和第二压力下,对同一个晶圆进行第二时间的去除表面氧气和水汽的除气处理;通过加...