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本发明公开了一种基于热气体辅助的碳化硅晶片的抛光方法及应用，涉及半导体材料加工技术领域。抛光方法包括对碳化硅晶片的气体研磨、精研磨和化学机械抛光；气体研磨中，加热区的压缩气体经喷射区以气流的形式喷出，喷射气流携带研磨介质进入研磨区后，喷射于...
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