一种基于热气体辅助的碳化硅晶片的抛光方法及应用技术

本发明专利技术公开了一种基于热气体辅助的碳化硅晶片的抛光方法及应用，涉及半导体材料加工技术领域。抛光方法包括对碳化硅晶片的气体研磨、精研磨和化学机械抛光；气体研磨中，加热区的压缩气体经喷射区以气流的形式喷出，喷射气流携带研磨介质进入研磨区后，喷射于碳化硅晶片的待研磨面进行研磨处理。通过温度、气流和研磨介质的协同作用，实现对碳化硅晶片待研磨面的研磨，达到高移除量的研磨效果；再经过精磨、化学机械抛光，整个工艺的实施，在效率与质量间找到最佳平衡点，具有产品良率高且研磨成本低的特点，有望推动SiC在新能源、6G通信、航空航天与国防等领域的规模化应用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体材料加工，具体而言，涉及一种基于热气体辅助的碳化硅晶片的抛光方法及应用。

技术介绍

1、碳化硅(sic)作为一种宽禁带半导体材料，因其高击穿电场、高热导率和高电子饱和漂移速度等优异特性，在功率电子器件、射频器件和高温器件等领域具有广泛的应用前景。碳化硅晶片作为制造这些器件的关键衬底材料，其表面质量、晶体完整性及后续器件性能直接受到表面处理工艺的影响。

2、在现有技术中，碳化硅晶片的表面处理主要依赖于机械研磨和化学机械抛光(cmp)等方法。机械研磨虽然具有较高的去除率，但在加工过程中容易导致碳化硅表面和亚表面产生损伤，如裂纹和缺陷，从而影响晶片的晶体完整性和器件性能。另一方面，化学机械抛光虽然能够获得较好的表面质量，但其去除效率较低，且使用的化学试剂可能对环境和操作人员的健康造成危害。因此，现有的碳化硅晶片研磨方法普遍存在效率低的问题，严重阻碍了碳化硅基器件的大范围应用和推广。

3、鉴于此，特提出本专利技术。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种基于热气体辅本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于热气体辅助的碳化硅晶片的抛光方法，其特征在于，所述抛光方法包括如下步骤：对碳化硅晶片的气体研磨、精研磨和化学机械抛光；

2.根据权利要求1所述的抛光方法，其特征在于，所述研磨区，喷嘴相对于碳化硅晶片待研磨面的喷射距离为150mm-200mm。

3.根据权利要求1所述的抛光方法，其特征在于，所述喷射气流的工作压力为0.3MPa-1MPa；优选为0.5MPa-0.8MPa。

4.根据权利要求1所述的抛光方法，其特征在于，所述喷射区的喷嘴选自拉瓦尔喷嘴或塞式喷嘴。

5.根据权利要求1所述的抛光方法，其特征在于，喷射移动速度为20mm/...

【技术特征摘要】

1.一种基于热气体辅助的碳化硅晶片的抛光方法，其特征在于，所述抛光方法包括如下步骤：对碳化硅晶片的气体研磨、精研磨和化学机械抛光；

2.根据权利要求1所述的抛光方法，其特征在于，所述研磨区，喷嘴相对于碳化硅晶片待研磨面的喷射距离为150mm-200mm。

3.根据权利要求1所述的抛光方法，其特征在于，所述喷射气流的工作压力为0.3mpa-1mpa；优选为0.5mpa-0.8mpa。

4.根据权利要求1所述的抛光方法，其特征在于，所述喷射区的喷嘴选自拉瓦尔喷嘴或塞式喷嘴。

5.根据权利要求1所述的抛光方法，其特征在于，喷射移动速度为20mm/s-40mm/s；

6.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨双泽，牛玉龙，林亮，严海超，
申请(专利权)人：通威微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：