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用于穿过金属封装形成隔离的导电触点的工艺制造技术
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下载用于穿过金属封装形成隔离的导电触点的工艺的技术资料
文档序号:4594774
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本发明揭示一种穿过金属衬底形成隔离的导电触点的方法,其包括穿过所述衬底形成至少一个通孔。清洁每一通孔的侧壁且给所述侧壁涂覆非导电层。通过阳极化或通过电介质的薄膜沉积形成所述非导电层。在用所述非导电层涂覆之后将导电填充物(例如,导电油墨或环氧...
该专利属于ESI电子科技工业公司所有,仅供学习研究参考,未经过ESI电子科技工业公司授权不得商用。
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