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本申请涉及一种超结MOSFET及其制备方法，该制备方法包括：在碳化硅衬底的顶面形成碳化硅外延层后，在碳化硅外延层中形成第一沟槽；对第一沟槽底部的碳化硅外延层进行离子注入，在第一沟槽底部的碳化硅外延层中形成第一柱层；形成填充满第一沟槽的第二柱...
该专利属于上海积塔半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海积塔半导体有限公司授权不得商用。

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