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本发明公开一种半导体结构的制造方法，包括以下步骤。提供基底。基底包括切割道区与元件区。在基底上形成介电结构。在元件区的介电结构中形成内连线结构。在介电结构上形成保护层。对保护层与介电结构进行图案化，而在切割道区的介电结构中形成划片沟槽，且在...
该专利属于力晶积成电子制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过力晶积成电子制造股份有限公司授权不得商用。

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