【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体结构的制造方法，且特别是涉及一种包括划片沟槽的半导体结构的制造方法。
技术介绍
1、在一些半导体结构制作完成后，切割道区中的由划片沟槽所暴露出的介电结构会曝露于空气中。在半导体结构等待封测厂进一步加工而储放于仓库的期间，介电结构中的成分(如，氟(f))可能会扩散至空气中，而对暴露于空气中的最顶层的导电层(如，接垫(pad))造成污染。然而，如何防止最顶层的导电层受到污染为持续努力的目标。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种半导体结构的制造方法，其可有效地防止最顶层的导电层受到污染。
2、本专利技术提出一种半导体结构的制造方法，包括以下步骤。提供基底。基底包括切割道区与元件区。在基底上形成介电结构。在元件区的介电结构中形成内连线结构。内连线结构包括多个导电层。在介电结构上形成保护层。对保护层与介电结构进行图案化，而在切割道区的介电结构中形成划片沟槽，且在元件区的介电结构中形成开口。开口暴露出最顶层的导电层。在划片沟槽与开口中以及保护层上形成隔离材料层。在...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的制造方法，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其中所述导电层包括金属层。
3.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其中所述内连线结构还包括：
4.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其中所述光致抗蚀剂层的顶面低于所述保护层的底面。
5.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其中所述第一回蚀刻制作工艺包括干式蚀刻制作工艺。
6.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其中所述光致抗蚀剂层的形成方法包括：
7.如权利要求6所述的半导体结构的制造方法，其中所...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制造方法，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其中所述导电层包括金属层。
3.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其中所述内连线结构还包括：
4.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其中所述光致抗蚀剂层的顶面低于所述保护层的底面。
5.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其中所述第一回蚀刻制作工艺包括干式蚀刻制作工艺。
6.如权利要求1所述的半导体结构...
【专利技术属性】
技术研发人员：廖宏魁，
申请(专利权)人：力晶积成电子制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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