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本发明公开一种大尺寸金刚石基氮化镓晶圆的制备方法，属于半导体材料技术领域。它包括将氮化镓晶片分立放置在金刚石沉积托盘的凹槽内进行金刚石沉积，并创造性的设计了在氮化镓表面的金刚石形核过程，保证了金刚石晶核在氮化镓晶圆表面稳定有序生长，为后续的...
该专利属于超晶科技（黑龙江）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过超晶科技（黑龙江）有限公司授权不得商用。

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