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本发明提供一种低损耗光子器件的制备方法，基于湿法刻蚀与二次沉积核心层的协同工艺优化器件侧壁形貌。首先对光子器件完成主体结构加工，随后采用湿法刻蚀技术对侧壁进行精细化处理，通过化学腐蚀作用有效降低干法刻蚀产生的微米级表面粗糙度；紧接着通过在器...
该专利属于浙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学授权不得商用。

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