【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及通信，具体涉及一种低损耗光子器件的制备方法。
技术介绍
1、目前晶体管尺寸已逼近物理极限，但人们对于高数据容量和高速的通信需求与日俱增，因此片上光互连技术就进入了人们的视野。光互连技术是一种光通信技术，其使用激光束代替电子半导体信号传输数据，利用现有半导体工艺进行光器件开发和集成的新一代技术。相比于传统的电传输，光互连技术凭借强抗干扰能力、低延时、低损耗和大带宽等特点，打破了传统电互连在传输速度、带宽、功耗和成本上的限制。光子器件包括光波导、光栅耦合器、微环谐振器、分束器等器件，这些器件通过相互组合，协同工作，可以实现高效的信息接收、信息处理、信息传输等功能。
2、光子器件表面的粗糙度是决定其光学性能的核心参数之一，其本质影响源于表面散射效应引起的模式耦合畸变与能量耗散。干法刻蚀工艺中离子轰击造成的晶格损伤与各向异性刻蚀特征，会导致波导侧壁形成亚波长量级的周期性起伏结构。这种非均匀性界面会引发导波模式的倏逝场泄露，通过布拉格散射机制与辐射模发生非对称能量耦合，最终表现为器件的本征传输损耗。尤其在紧凑型光子集成电...
【技术保护点】
1.一种低损耗光子器件的制备方法，其特征在于，具有以下步骤：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（1）中所述光子器件为光波导、光栅耦合器、多模干涉耦合器、微环谐振器、光电探测器、光学调制器中的一种或多种。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（2）中所述湿法刻蚀采用的刻蚀液包括磷酸溶液、氢氟酸溶液。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（2）所述湿法刻蚀的厚度为1 nm-500 nm。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（3）中所述二次沉积的方法为低压化学气相沉...
【技术特征摘要】
1.一种低损耗光子器件的制备方法，其特征在于，具有以下步骤：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（1）中所述光子器件为光波导、光栅耦合器、多模干涉耦合器、微环谐振器、光电探测器、光学调制器中的一种或多种。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（2）中所述湿法刻蚀采用的刻蚀液包括磷酸溶液、氢氟酸溶液。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（2）所述湿法刻蚀的厚度为1...
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