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本发明涉及一种金刚石陶瓷半导体封装管壳的制作方法及封装算力芯片的方法,包括步骤:将人造金刚石粉、硅粉和二氧化硅粉混合烧熔浇注在模具中形成相应尺寸的金刚石陶瓷管壳;在管壳衬底上打通孔;在管壳衬底的通孔内沉积铜及沉积位于衬底底部外侧的焊盘;在管...该专利属于珠海元记忆电子科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过珠海元记忆电子科技有限公司授权不得商用。
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本发明涉及一种金刚石陶瓷半导体封装管壳的制作方法及封装算力芯片的方法,包括步骤:将人造金刚石粉、硅粉和二氧化硅粉混合烧熔浇注在模具中形成相应尺寸的金刚石陶瓷管壳;在管壳衬底上打通孔;在管壳衬底的通孔内沉积铜及沉积位于衬底底部外侧的焊盘;在管...