【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体的封装，尤其是涉及一种金刚石陶瓷封装管壳的制作方法和采用金刚石陶瓷封装算力芯片的方法，适用于高功耗算力芯片（如gpu、cpu等）的散热与信号完整性需求。
技术介绍
1、芯片封装特别是算力芯片封装是半导体制造中的关键环节，直接影响芯片性能、功耗、可靠性和成本。随着ai、hpc（高性能计算）和边缘计算的爆发，算力芯片（如gpu、cpu、asic等）对封装技术提出了更高要求。算力芯片封装的核心要点在于：
2、a.高算力需求：大算力芯片（如nvidia h100、amd mi300）通常采用超大芯片（>800mm²）或chiplet设计，传统封装难以满足高密度互连和散热需求。
3、b.功耗与散热：算力芯片功耗可达千瓦（如h100达700w），封装需解决热膨胀系数（cte）匹配、散热通道设计等问题。
4、c.信号完整性：多层布线的寄生阻抗（rlc）高速数据传输（如hbm3内存、pcie 5.0）要求低延迟、低串扰的互连技术。
5、现有技术封装包括2.5d封装、3d封装和...
【技术保护点】
1.一种金刚石陶瓷半导体封装管壳的制作方法，包括其如下步骤：
2.按照权利要求1所述金刚石陶瓷半导体封装管壳的制作方法，其特征在于：
3.按照权利要求1所述金刚石陶瓷半导体封装管壳的制作方法，其特征在于：
4.按照权利要求1所述金刚石陶瓷半导体封装管壳的制作方法，其特征在于：
5.按照权利要求1所述金刚石陶瓷半导体封装管壳的制作方法，其特征在于：
6.一种采用权利要求1至5任一项所述的金刚石陶瓷半导体封装管壳制作方法获得的管壳封装算力芯片的方法，包括如下步骤：
7.按照权利要求6所述封装算力芯片的...
【技术特征摘要】
1.一种金刚石陶瓷半导体封装管壳的制作方法，包括其如下步骤：
2.按照权利要求1所述金刚石陶瓷半导体封装管壳的制作方法，其特征在于：
3.按照权利要求1所述金刚石陶瓷半导体封装管壳的制作方法，其特征在于：
4.按照权利要求1所述金刚石陶瓷半导体封装管壳的制作方法，其特征在于：
5.按照权利要求1所述金刚石陶瓷半导体封装管壳的制作方法，其特征在于：
【专利技术属性】
技术研发人员：何东歌，刘宣廷，
申请(专利权)人：珠海元记忆电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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