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本发明涉及一种改善快速热处理滑移线的方法，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：硅片进行洗净，接着通过旋转甩干或者红外烘干的方式干燥硅片。第二步：进入快速热处理炉，快速热处理的退火时采用H2、Ar或O2中的一种及一种以上的气体混合...
该专利属于杭州中欣晶圆半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州中欣晶圆半导体股份有限公司授权不得商用。

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