改善快速热处理滑移线的方法技术

本发明专利技术涉及一种改善快速热处理滑移线的方法，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：硅片进行洗净，接着通过旋转甩干或者红外烘干的方式干燥硅片。第二步：进入快速热处理炉，快速热处理的退火时采用H2、Ar或O2中的一种及一种以上的气体混合，退火温度为1100～1300℃。第三步：快速热处理设备的PIN针的形貌采用圆头，圆头PIN针和硅片的接触面积大，减少剪切应力的影响，从而减少或者避免滑移线的产生。第四步：通过硅片快速热处理后，进行单面或者双面抛光，来完全消除表面滑移线。第五步：硅片再进行洗净，最后通过旋转甩干或者红外烘干的方式干燥硅片。在调节BMD及DZ深度的目的后，减轻甚至避免硅片的滑移线，提高后端制程的GOI集成特性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及硅片加工，具体涉及一种改善快速热处理滑移线的方法。

技术介绍

1、大直径硅片在高至 1300℃下的ar 或h2气氛中进行热处理变得越来越重要，快速热处理可以突破单晶原始氧含量的限制，是memc公司开发的能够明显改善单晶硅片体微缺陷bmd和洁净区宽度（dz）的成熟方法。通常在高温加热是时，加工过程中热或重量作用会在晶片中产生剪切应力。 在临界情况下， 与温度相关的负载所致最大可分解剪切应力可能超过硅晶体的屈服应力而产生位错并最终造成塑性形变，无滑移高温加工是一个关键问题。

2、传统硅片在快速热处理腔内的支撑方法为3点或者4点顶针pin支撑，以减少热不均匀性，实现良好的硅片内温度分布。但顶针在使用过程中，虽可以通过激光实现加热pin顶针，减少pin对温场的影响，但实际无法避免，特别是大尺寸硅片的pin印更加明显，硅片热处理后的滑移线严重，恶化器件的goi等特性，如何减少pin顶针造成的滑移线显得尤为重要。

技术实现思路

1、本专利技术主要解决现有技术中存在的不足，提供了一种改善快速热处理本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种改善快速热处理滑移线的方法，其特征在于包括如下操作步骤：

2.根据权利要求1所述的改善快速热处理滑移线的方法，其特征在于：硅片的洗净采用槽式湿法洗净、单片湿法O3-HF的循环洗净或RCA清洗，去除硅片表面的有机物、颗粒和金属残留，达到1E10atoms/cm2的水准。

3.根据权利要求2所述的改善快速热处理滑移线的方法，其特征在于：RCA清洗主要包括四种清洗液，为SPM溶液‌、DHF溶液‌、APM溶液‌和‌HPM溶液‌；SPM溶液使用硫酸和双氧水的混合液，高温下具有强氧化能力，去除重有机沾污和部分金属；DHF溶液又叫稀释氢氟酸，用于去除硅片表面的自然氧化膜...

【技术特征摘要】

1.一种改善快速热处理滑移线的方法，其特征在于包括如下操作步骤：

2.根据权利要求1所述的改善快速热处理滑移线的方法，其特征在于：硅片的洗净采用槽式湿法洗净、单片湿法o3-hf的循环洗净或rca清洗，去除硅片表面的有机物、颗粒和金属残留，达到1e10atoms/cm2的水准。

3.根据权利要求2所述的改善快速热处理滑移线的方法，其特征在于：rca清洗主要包括四种清洗液，为spm溶液‌、dhf溶液‌、apm溶液‌和‌hpm溶液‌；spm溶液使用硫酸和双氧水的混合液，高温下具有强氧化能力，去除重有机沾污和部分金属；dhf溶液又叫稀释氢氟酸，用于去除硅片表面的自然氧化膜，同时溶解附着在氧化膜上的金属离子；apm溶液即sc-1溶液，氨水和双氧水的混合液，主要用于去除颗粒、金属和有机物；hpm溶液即sc-2溶液，盐酸和双氧水的混合液，主要用于去除金属杂质。

4.根据权利要求2所述的改善快速热处理滑移线的方法，其特征在于：采用dhf+o3组合去除表面金属，o3将硅片表面硅氧化，dhf液腐蚀表层的sio2，并同时去除被sio2吸附的部分金属、颗粒沾...

【专利技术属性】
技术研发人员：李媛，
申请(专利权)人：杭州中欣晶圆半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：