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本发明涉及半导体制造技术领域，公开了一种对准掩膜版及半导体器件的制造方法，对准掩膜版包括绕几何中心分布且图案相同的第一对准图案、第二对准图案、第三对准图案及第四对准图案，对准掩膜版可绕几何中心旋转180度以在第一使用状态和第二使用状态之间切...
该专利属于浙江旺荣半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江旺荣半导体有限公司授权不得商用。

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